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一款专为SiC Mosfet设计的DC-DC模块电源 

时间:2015/6/30 15:29:00 来源:金升阳 点击数:3132

    中华电源网讯:

   SiC Mosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质,极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率,拉长新能源汽车的可跑里程,应用在高频转换器上,为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。。。。。。。据调查公司Yole developmet统计,SiC Mosfet现有市场容量为9000万美元,估计在2013-2020年SiC Mosfet市场将每年增长39%。由此可预见,SiC即将成为半导体行业的新宠!

 

        SiC Mosfet对比Si IGBT主要有以下优势:

 

        i.    低导通电阻RDS(ON),使SiC Mosfet具有优越的正向压降和导通损耗性能,更适应高温环境下的工作;

        ii.    优良的输入特性,即SiC Mosfet拥有低栅极电荷,具备卓越的切换速率;

        iii.    宽禁带宽度材料,SiC Mosfet具有相当低的漏电流,更适应在高电压环境中的应用;

 

        日前,MORNSUN与SiC Mosfet行业龙头企业合作,打造了一款SiC Mosfet专用的隔离转换DC-DC模块电源--QA01C。

 

        QA01C在效率高达83%的情况下,具有不对称+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA输出,完美满足SiC Mosfet的可靠开启及关断要求。低至3.5pF的隔离电容,允许QA01C工作在高频应用中,不被重复充放电拖慢工作频率。3500VAC高隔离耐压,减少了高压总线对低压控制侧的干扰。220uF大容性负载使得QA01C具有瞬时驱动大功率特性,更好地应对SiC Mosfet对高频开关的要求。

 

        目前,QA01C系列已经通过了UL/CE/CB60950认证,产品可靠性已经得到了权威机构的认可。

 

        ●  隔离电容3.5pF
        ●  高隔离电压3500VAC
        ●  不对称驱动电压:输出电压+20/-4VDC,输出电流+100/-100mA
        ●  大容性负载220uF
        ●  效率高达83%
        ●  工作温度范围: -40℃ ~ +105℃                                 
        ●  可持续短路保护
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